關(guān)于Power Integrations
Power Integrations, Inc.是一家專注于高壓電源管理及控制領(lǐng)域的高性能電子元器件及電源方案的供應(yīng)商，總部位于美國(guó)硅谷。 我們所推出的集成電路和二極管為包括移動(dòng)設(shè)備、家電、智能電表、LED燈以及工業(yè)應(yīng)用的眾多電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)出小巧緊湊的高能效AC-DC電源。我們的SCALE門極驅(qū)動(dòng)器可提高大功率應(yīng)用的效率、可靠性和成本效益，其應(yīng)用領(lǐng)域包括工業(yè)電機(jī)、太陽(yáng)能和風(fēng)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車和高壓直流輸電等。
應(yīng)用:
2SC0435T2G1-17產(chǎn)品詳情
2SC0435T是一款新型的SCALE-2雙通道驅(qū)動(dòng)核，融合了設(shè)計(jì)緊湊、可靠性高與應(yīng)用廣泛的特點(diǎn)。2SC0435T可以驅(qū)動(dòng)3600A/1700V以下的所有常見(jiàn)IGBT模塊。這款驅(qū)動(dòng)器支持多個(gè)驅(qū)動(dòng)器直接并聯(lián)，即使在額定功率更高的應(yīng)用中，也能夠?qū)崿F(xiàn)簡(jiǎn)單的逆變器設(shè)計(jì)，并可支持多電平拓?fù)鋺?yīng)用。
技術(shù)優(yōu)勢(shì)
2SC0435T是我們目前在工業(yè)應(yīng)用中*緊湊的驅(qū)動(dòng)核之一，尺寸僅有57.2 x 51.6 mm高度為20 mm。與傳統(tǒng)解決方案相比，SCALE-2芯片組可將元件數(shù)量減少多達(dá)85%，因此能夠顯著地提高可靠性，并降低成本。
2SC0435T具備了雙通道驅(qū)動(dòng)核所必需的所有元件及功能，包括：隔離的DC/DC電源、短路保護(hù)以及電源電壓監(jiān)控功能。驅(qū)動(dòng)器的原方與副方隔離，兩個(gè)輸出通道之間也隔離。
IGBT模式
每個(gè)輸出通道都可以提供35 A的輸出電流和4 W的驅(qū)動(dòng)功率，使2SC0435T適合驅(qū)動(dòng)大功率模塊和并聯(lián)IGBT模塊。在IGBT模式下，驅(qū)動(dòng)器可產(chǎn)生+15 V / –10V的門極電壓擺幅。對(duì)開(kāi)通電壓進(jìn)行穩(wěn)壓，無(wú)論輸出功率如何都使其保持在穩(wěn)定的+15 V。
EMC性能優(yōu)異，即使在要求嚴(yán)苛的工業(yè)環(huán)境中也能**可靠地運(yùn)行。2SC0435T適合耐壓1700 V以內(nèi)的大功率IGBT。
MOSFET模式
2SC0435T內(nèi)置了專用的MOSFET模式。它允許+10 V…+20 V / 0 V的任何門極電壓擺幅，以*大限度地利用驅(qū)動(dòng)器的100 kHz的開(kāi)關(guān)速度。
2SC0435T驅(qū)動(dòng)核輸出功率高、延遲時(shí)間極短且抖動(dòng)極小，專為大功率和超快速開(kāi)關(guān)而設(shè)計(jì)，充分發(fā)掘*新的MOS功率器件的功能。
驅(qū)動(dòng)并聯(lián)的IGBT
帶有獨(dú)立驅(qū)動(dòng)器的IGBT模塊可實(shí)現(xiàn)任意數(shù)量的直接并聯(lián)。驅(qū)動(dòng)器直接并聯(lián)是一種嶄新的、開(kāi)創(chuàng)性的概念，這使得IGBT并聯(lián)的技術(shù)門檻大大降低，客戶無(wú)需花太多時(shí)間對(duì)均流性進(jìn)行調(diào)試。
2SC0435T2G1-17產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品規(guī)格
大開(kāi)關(guān)頻率 100.00 kHz
IGBT電壓等級(jí) 1700 V
技術(shù) SCALE-2+
產(chǎn)品類型 Driver Core
輸出功率/通道- 6.00 W
接口類型 Electrical
Options Info
Conformal Coated Version
2SC0435T2F1C-17
通道數(shù) 2
Footnote
600V-1700V, pin length 5.84mm, -40°C...85°C, increased EMI immunity, lead free
門極峰值電流+35 A
產(chǎn)品類型 Board
Product Sub-Type Driver Core
支持的模塊
IGBT
N-Channel MOSFET
主/外圍 N/A
支持的拓?fù)?
2-level Voltage Source
3-level NP-Clamped - Type 1
3-level NP-Clamped - Type 2
Multi-Level NP-Clamped
保護(hù)功能
Adv Active Clamping
Short Circuit
UVLO(Sec-side)
UVLO(Pri-side)
驅(qū)動(dòng)模式
Halfbridge
Direct-Independent
邏輯輸入電壓 5
電源電壓 (典型) 15.00 V
門極導(dǎo)通電壓 +15.00 V
門極關(guān)斷電壓 --10.10 V
時(shí)間 - 輸出上升 20.00 ns
時(shí)間 - 輸出下降 20.00 ns
隔離技術(shù) Galvanic
隔離類型 Reinforced
門極峰值電流 -35
