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我國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局及發(fā)展前景分析

日期:2025-12-07 14:14
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摘要: 大陸市場(chǎng)主要供應(yīng)商均是歐美和日本企業(yè),市場(chǎng)占比超過(guò)65%,處于**主導(dǎo)地位,由于IGBT的重要市場(chǎng)地位,大陸企業(yè)逐步提升IGBT的研發(fā)和生產(chǎn)力度,率先量產(chǎn)智能IGBT的企業(yè),會(huì)超比例受惠巨大市場(chǎng)需求。 IGBT是BJT(雙極型晶體管)和MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管)復(fù)合器件,是業(yè)界公認(rèn)的,發(fā)展*迅速的新型功率器件。IGBT和晶閘管等傳統(tǒng)器件,雖然都是“開(kāi)關(guān)”,但前者的核心優(yōu)勢(shì)在于,驅(qū)動(dòng)功率小,飽和壓降低,開(kāi)關(guān)頻率極高,這些都是各應(yīng)用領(lǐng)域所迫切需求的,現(xiàn)階段IGBT的缺點(diǎn)在于成本尚高,所以在成本允許的應(yīng)用中,IGB...

大陸市場(chǎng)主要供應(yīng)商均是歐美和日本企業(yè),市場(chǎng)占比超過(guò)65%,處于**主導(dǎo)地位,由于IGBT的重要市場(chǎng)地位,大陸企業(yè)逐步提升IGBT的研發(fā)和生產(chǎn)力度,率先量產(chǎn)智能IGBT的企業(yè),會(huì)超比例受惠巨大市場(chǎng)需求。

    IGBT是BJT(雙極型晶體管)和MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管)復(fù)合器件,是業(yè)界公認(rèn)的,發(fā)展*迅速的新型功率器件。IGBT和晶閘管等傳統(tǒng)器件,雖然都是“開(kāi)關(guān)”,但前者的核心優(yōu)勢(shì)在于,驅(qū)動(dòng)功率小,飽和壓降低,開(kāi)關(guān)頻率極高,這些都是各應(yīng)用領(lǐng)域所迫切需求的,現(xiàn)階段IGBT的缺點(diǎn)在于成本尚高,所以在成本允許的應(yīng)用中,IGBT已開(kāi)始替換傳統(tǒng)功率器件。IGBT廣泛以用于變頻器、逆變器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路和電機(jī)等領(lǐng)域,貫穿消費(fèi)電子和工業(yè)控制等領(lǐng)域。

2011~2015年中國(guó)IGBT芯片市場(chǎng)規(guī)模

    全球范圍內(nèi),節(jié)能減排是推動(dòng)IGBT迅速發(fā)展的動(dòng)力。大陸方面,國(guó)家政策和市場(chǎng)對(duì)新能源的需求,對(duì)IGBT發(fā)展的推動(dòng)力更加強(qiáng)烈,例如,中國(guó)變頻家電覆蓋冰箱、冰柜、空調(diào)和洗衣機(jī)等,據(jù)中國(guó)電源協(xié)會(huì)*新數(shù)據(jù),2012~2016年大陸變頻家電智能模塊需求復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)16.8%,遠(yuǎn)高于全球8.2%的發(fā)展基數(shù)。大陸IGBT市場(chǎng)進(jìn)入高速成長(zhǎng)階段,2012~2015年其市場(chǎng)規(guī)模復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)18.3%。

2012年中國(guó)IGBT芯片市場(chǎng)份額

    大陸市場(chǎng)主要供應(yīng)商均是歐美和日本企業(yè),市場(chǎng)占比超過(guò)65%,處于**主導(dǎo)地位,由于IGBT的重要市場(chǎng)地位,大陸企業(yè)逐步提升IGBT的研發(fā)和生產(chǎn)力度,率先量產(chǎn)智能IGBT的企業(yè),會(huì)超比例受惠巨大市場(chǎng)需求。

 

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