技術(shù)文章
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CONCEPT IGBT驅(qū)動(dòng) SCALE-2芯片組的特征全定制專(zhuān)用集成電路(ASIC), 高電壓數(shù)模信號(hào)混合,C-MOS技術(shù)CompatibleSCALECoresandSCALE-Plug-and-Playdrivers延遲時(shí)間80ns±4ns, 抖...發(fā)布時(shí)間：2015-08-25 10:00 點(diǎn)擊次數(shù)：2237 次
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NewSCALE2驅(qū)動(dòng)板 NewSCALE-2即插即用驅(qū)動(dòng)板采用SCALE-2即插即用驅(qū)動(dòng)板可輕便快速地實(shí)現(xiàn)高可靠性及高性?xún)r(jià)比的系統(tǒng)。所有的即插即用SCALE-2驅(qū)動(dòng)器支持直接并聯(lián)。通過(guò)簡(jiǎn)單的并聯(lián)IGBT模塊及驅(qū)動(dòng)板即可系統(tǒng)擴(kuò)容。受益于廣泛得知的C...發(fā)布時(shí)間：2015-08-25 09:56 點(diǎn)擊次數(shù)：1878 次
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IGBT保管、使用、選擇時(shí)的技巧 IGBT保管、使用、選擇時(shí)的技巧 對(duì)于選擇和安裝過(guò)程中應(yīng)該注意的方面，對(duì)IGBT的特性注意事項(xiàng)進(jìn)行了研討。IGBT模塊簡(jiǎn)介 相信大家都知道IGBT是絕緣柵雙極型晶體管縮寫(xiě)，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合...發(fā)布時(shí)間：2014-05-09 13:24 點(diǎn)擊次數(shù)：1695 次
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注意事項(xiàng)及EXB841典型應(yīng)用電路 注意事項(xiàng)及EXB841典型應(yīng)用電路 根據(jù)以上分析，有以下幾個(gè)方面需要注意： 1） EXB841只有 1．5us的延時(shí)，慢關(guān)斷動(dòng)作時(shí)間約 8us，與使用手冊(cè)上標(biāo)明的“對(duì)<10us的過(guò)電流不動(dòng)作”是有區(qū)別的。 ...發(fā)布時(shí)間：2014-03-20 09:50 點(diǎn)擊次數(shù)：2040 次
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富士分立器件型號(hào)廢止（停止生產(chǎn)）指南 分立器件型號(hào)廢止（停止生產(chǎn)）指南此處登載分立器件型號(hào)廢止（停止生產(chǎn)）指南停產(chǎn)對(duì)象產(chǎn)品雙極型晶體管請(qǐng)參照下述對(duì)象型號(hào)列表。發(fā)布時(shí)間：2014-03-13 17:40 點(diǎn)擊次數(shù)：1263 次
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富士停產(chǎn)信息： IGBT模塊：S系列、P系列型號(hào)廢止指南 停產(chǎn)信息IGBT模塊：S系列、P系列型號(hào)廢止指南此處登載停產(chǎn)信息IGBT模塊：S系列、P系列型號(hào)廢止（停止生產(chǎn)）指南停產(chǎn)對(duì)象產(chǎn)品IGBT模塊：S系列、P系列R-IPM的一部分（小容量額定產(chǎn)品）請(qǐng)參照下述對(duì)象型號(hào)列表。發(fā)布時(shí)間：2014-03-12 17:35 點(diǎn)擊次數(shù)：1622 次
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SiC器件與Si器件性能比較 SIC是什么呢？相比于Si器件，SiC功率器件的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在哪些方面？電子發(fā)燒友網(wǎng)根據(jù)SIC器件和SI器件的比較向大家講述了兩者在性能上的不同。SiC是什么？碳化硅（SiC）是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類(lèi)...發(fā)布時(shí)間：2013-07-01 13:00 點(diǎn)擊次數(shù)：1804 次
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何謂功率半導(dǎo)體？ 何謂功率半導(dǎo)體？“半導(dǎo)體”，顧名思義是指同時(shí)具有容易導(dǎo)電的“導(dǎo)體”和不導(dǎo)電的“絕緣體”兩方面特性的物質(zhì)。能夠?qū)⒔涣麟娹D(zhuǎn)為直流電——“整流”、增大電信號(hào)——“增幅”、導(dǎo)通或者阻斷電——“開(kāi)關(guān)”等。功率半導(dǎo)體是能夠支持高電壓、...發(fā)布時(shí)間：2013-06-10 12:32 點(diǎn)擊次數(shù)：1940 次
