產(chǎn)品詳情
簡單介紹：
針對具體應(yīng)用的不同需求，英飛凌開發(fā)了完善的分立式IGBT系列產(chǎn)品。較強的針對性使器件能在特定應(yīng)用中處于*佳工作狀態(tài)，有利于提高品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)。英飛凌提供業(yè)界專業(yè)性*強的分立式IGBT器件，幫您實現(xiàn)*理想的應(yīng)用性能。
詳情介紹：
英飛凌的 IGBT 產(chǎn)品系列包括多款不同器件。這些產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車、牽引、能源傳輸、工業(yè)和消費系統(tǒng)領(lǐng)域。我們的解決方案在正向和阻斷狀態(tài)下功耗非常低，僅需低驅(qū)動功率便可發(fā)揮高效率。這些 IGBT 產(chǎn)品可承受高達(dá) 6.5 kV 的電壓，并可在 2 kHz 至 50 kHz 的開關(guān)頻率下工作。
借助廣泛的技術(shù)組合優(yōu)勢，面向工業(yè)和功率控制應(yīng)用的 IGBT ,具有出色的電流承載能力和更高的脈沖負(fù)載能力，功耗極低。
IGQ100N120S7采用TO247PLUS-3引腳封裝的1200 V、100 A IGBT7 S7，帶有反并聯(lián)二極管
IGQ100N120S7指標(biāo)參數(shù)
Parametrics
IGQ100N120S7
Eoff
8.84 mJ
Eon
10.1 mJ
IC (@ 25°) max
188 A
IC (@ 100°) max
126 A
ICpuls max
300 A
Ptot max
826 W
Package
TO-247-3-PLUS
QGate
610 nC
Qrr
15300 nC
Switching Frequency min max
2 kHz 20 kHz
Technology
TRENCHSTOP? IGBT7
VCE(sat)
2 V
VCE max
1200 V
VGE(th)
5.7 V
td(off)
270 ns
td(on)
39 ns
tf
230 ns
tr
29 ns
硬開關(guān)1200 V、100 A TRENCHSTOP? IGBT7 S7分立式器件采用TO-247封裝，內(nèi)置EC7 二極管。它具有低飽和壓降（VCEsat），可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低的導(dǎo)通損耗，與其共同封裝的超快速、軟恢復(fù)發(fā)射極控制二極管有助于*大限度地減少開關(guān)損耗，從而整體降低總損耗。
特征描述
優(yōu)勢
應(yīng)用領(lǐng)域
-
不間斷電源（UPS）
-
電機控制和驅(qū)動
| Parametrics | IGQ100N120S7 |
|---|---|
| Eoff | 8.84 mJ |
| Eon | 10.1 mJ |
| IC (@ 25°) max | 188 A |
| IC (@ 100°) max | 126 A |
| ICpuls max | 300 A |
| Ptot max | 826 W |
| Package | TO-247-3-PLUS |
| QGate | 610 nC |
| Qrr | 15300 nC |
| Switching Frequency min max | 2 kHz 20 kHz |
| Technology | TRENCHSTOP? IGBT7 |
| VCE(sat) | 2 V |
| VCE max | 1200 V |
| VGE(th) | 5.7 V |
| td(off) | 270 ns |
| td(on) | 39 ns |
| tf | 230 ns |
| tr | 29 ns |
硬開關(guān)1200 V、100 A TRENCHSTOP? IGBT7 S7分立式器件采用TO-247封裝，內(nèi)置EC7 二極管。它具有低飽和壓降（VCEsat），可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低的導(dǎo)通損耗，與其共同封裝的超快速、軟恢復(fù)發(fā)射極控制二極管有助于*大限度地減少開關(guān)損耗，從而整體降低總損耗。
特征描述
優(yōu)勢
應(yīng)用領(lǐng)域
- 不間斷電源（UPS）
- 電機控制和驅(qū)動
